Wir verbinden Ihre CI(G)S, CdTe sowie a-Si/μ-morphen Substrate vollautomatisch.
Aus den bewährten Verbindungsmöglichkeiten Ultraschall Schweissen, Leitfähigem Kleber oder Klebeband
wählen Sie Ihren bevorzugten Prozess.
Die abgebildete Anlage zeigt eine Kontaktierlösung für eine sichere, hochpräzise
Dünnschichttechnologie.
Das Substrat wird der Anlage zugeführt und positioniert. In der ersten Zelle trägt
ein Dispenskopf den Silberleitkleber auf das Substrat auf. Eine optische Überwachung gewährleistet die
Qualität. Nach erfolgtem Dispensen wird das Substrat der zweiten Zelle übergeben und erneut positioniert.
Nun wird das Kontaktband über die gesamte Substratlänge ausgezogen und zielgenau auf die Silberleitklebespur
abgesetzt. Zum Schluss wird ein schwarzes Abdeckband über das Kontaktband ausgerollt. Dabei ist sichergestellt,
dass sich keine eingeschlossene Luft unterhalb des Abdeckbands befindet.
Technische Daten
Taktzeit
<60s
Steuerung
Grafisches Bedienerinterface TopControl mit Touchpanel